百事达配资美股芯片全线拉升！芯片传闻刷屏机构：关注存储超级周期下国产化机遇

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　　美股芯片股，集体大涨！

　　当地时间周五，美股三大指数全线上涨，标普500指数收盘创新高。存储芯片、半导体板块集体大涨。其中，闪迪大涨超12%，股价再创历史新高。自去年4月下旬以来，闪迪股价累计涨幅超过1100%。

　　其他个股方面，周五当天，英特尔涨超10%，拉姆研究涨近9%，应用材料、西部数据涨近7%，阿斯麦涨超6%，美光科技涨超5%，博通涨近4%。

　　再创新高！闪迪股价大幅拉升

　　美东时间周五（1月9日），存储芯片大牛股闪迪的股价再度爆发。当天美股开盘后，闪迪的股价直线拉升，随后全天维持高位震荡。截至美股收盘，闪迪股价上涨12.81%报377.41美元/股，再创历史新高，总市值也突破了550亿美元。

　　当天，在闪迪的带动下，其他存储概念股也大幅走高，美光科技涨超5%，西部数据、希捷科技涨近7%。

　　从消息面来看，有关“闪迪企业级闪存芯片报价或翻倍”的消息，是刺激该公司股价上涨的主要原因。野村证券的分析师预计，为应对未来几个季度服务器级存储的强劲需求，闪迪可能在本季度将其面向企业级固态硬盘（SSD）的大容量3D NAND闪存价格上调一倍。目前，尚不清楚此次高容量3D NAND提价将在多大程度上影响用于消费设备的主流闪存报价。

　　野村证券在给客户的一份报告中写道：“渠道调查显示，多家存储供应商持续推高产品价格，其中企业级NAND的涨幅尤为激进。闪迪用于企业级SSD的NAND产品据称在本季度环比涨幅可能超过100%。”野村证券将涨价归因于两方面因素：一是短期供应短缺，二是受人工智能（AI）整体发展推动的中期需求增长，特别是AI存储架构的变化。

　　野村证券的报告提到，英伟达是这一轮闪存芯片涨价的主要推手。英伟达的推理上下文内存存储平台（ICMSP）是今年企业级存储需求的重要驱动因素之一。该平台基于BlueField-4 DPU，并配备一块512GB SSD，用于承载KV缓存。在VR NVL144机架中，每一个计算托盘都配备了一颗带有512GB硬盘的BlueField-4数据处理单元。这意味着每个机架共包含18颗DPU，对应9.216TB的3D NAND容量。也就是说，假设英伟达每年出货5万套VR NVL144机架，那么该公司就需要从供应链中获得约0.439EB（艾字节）的3D NAND。

　　近日，美国银行将闪迪的目标价从300美元上调至390美元，并给予“买入”评级。在英伟达首席执行官黄仁勋于2026年国际消费电子展（CES）上发布Vera Rubin平台之后，分析师们对该平台中NAND在AI基础设施中所扮演角色的看法愈发乐观。

　　另外，1月9日，有供应链消息称，NAND闪存厂商闪迪向客户提出需全额现金预付款以换取1至3年供应保障的新合同模式。尽管条款严苛引发争议，但因AI需求激增及原厂扩产周期长，部分云服务商仍考虑接受。目前该合同已用于与PC、手机及模组厂商的谈判中。

　　本周早些时候，有报道称，三星电子和SK海力士计划在第一季度将服务器内存价格最高上调至70%，AI需求的激增正冲击全球供应链格局。

　　机构：关注存储超级周期下国产化机遇

　　近日，英伟达创始人黄仁勋在CES 2026发表演讲，介绍了英伟达的下一代AI平台Rubin，是首个采用极致协同设计、集成六款芯片的AI平台，现已全面量产。Rubin平台组件从数据中心向外构建，涵盖Rubin GPU、Vera CPU、NVLink 6、Spectrum-X Ethernet Photonics、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU。黄仁勋介绍了AI原生存储平台，NVIDIA推理上下文记忆存储平台是AI原生的键值（KV）缓存层，可提升长上下文推理性能，实现每秒token数提升5倍、单位总拥有成本（TCO）性能提升5倍、能效提升5倍。

　　国泰海通证券表示，英伟达推理上下文记忆存储平台的推出将进一步加大存储供给的紧张状态，预计2026年一季度NAND和DRAM合约价将分别环比增长33%—38%、55%—60%；国内长鑫科技的招股说明书披露也预示着公司离上市又进一步，本轮存储产业的超级大周期将驱动半导体设备、半导体材料公司持续成长。

　　国开证券建议关注存储超级周期下国产化机遇。该券商指出，AI驱动下存储迎来新一轮上行周期。据SIA数据，2025年10月全球半导体销售额创下727亿美元的历史新高，同比增速达27.2%。其中，存储芯片作为核心驱动力，预计2025年全年实现28%的强劲增长。不同于以往由消费电子出货量驱动的周期，本轮复苏呈现出明显的“AI 导向”特征，直接推动了高端HBM及高层数NAND持续放量，行业确立“量价齐升”格局。

　　东方证券也建议重视存储产业链国产化机遇。存储供不应求持续，同时海外存储巨头在通用存储方面的扩产进度可能有限，为国内存储厂商扩产、提升份额带来历史性机遇。技术方面，在DRAM领域，长鑫科技于2025年11月推出DDR5产品，在峰值速率等主流技术参数上达到国际一线水平；在NAND领域，长江存储自主研发的Xtacking架构实现了3D NAND技术的跨越式发展。在IPO进度方面，长鑫科技IPO已获受理，长江存储的母公司长存集团于2025年9月完成股份制改革。长江存储、长鑫科技未来推进融资后有望实现较大的扩产体量，产业链上下游有望深度受益。